3
3SK131
输出 电容 vs.
gate2 至 源 电压
V
G2S
-门 2 至 源 电压-v
1.0 2.0 3.0 4.00
−
1.0
0
1.0
4.0
5.0
3.0
2.0
C
oss
-输出 电容-pf
输入 admittance (y
是
)
vs. 频率
g
是
-输入 conductance-ms
120
5
10
b
是
-输入 susceptance-ms
V
DS2
= 6 v
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
V
DS
= 6.0 v
f = 1.0 mhz
−
0.5 v
200 mhz
300 mhz
100 mhz
V
G1S
= 0 v
反转 转移 admittance (y
rs
)
vs. 频率
g
rs
-反转 转移 conductance-ms
0.1 0.20
−
0.1
−
0.2
b
rs
-反转 转移 susceptance-ms
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
200 mhz
300 mhz
100 mhz
向前 转移 admittance (y
fs
)
vs. 频率
g
fs
-向前 转移 conductance-ms
20 3010
−
5
−
10
−
15
b
fs
-向前 trancfer susceptance-ms
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
200 mhz
300 mhz
100 mhz
0.5 1.00
1
5
4
3
2
b
os
-输出 susceptance-ms
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
200 mhz
300 mhz
100 mhz
输出 admittancve (y
os
)
vs. 频率
g
os
-输出 conductance-ms
电源 增益 vs. 流 电流
I
D
-流 电流=毫安
246 8100
5
10
15
20
25
G
ps
-电源 增益-db
V
DS
= 10 v
V
G2S
= 5 v
V
DS
= 5 v
V
G2S
= 3 v
f = 200 mhz