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手机版
资料编号:48175
资料名称:
3SK131
文件大小: 64.23K
说明
:
介绍
:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
3SK131
噪音 图示 vs. 流 电流
I
D
-流 电流=毫安
246
8100
1.0
2.0
3.0
4.0
nf-噪音 图示-db
0
1
2
3
4
nf-噪音 图示-db
V
DS
= 10 v
V
G2S
= 5 v
V
DS
= 5 v
V
G2S
= 3 v
f = 200 mhz
噪音 图示, 电源 增益 vs.
gate2 至 源 电压
V
G2S
-门 2 至 源 电压-v
0
−
112345678
−
10
0
10
20
30
G
ps
-电源 增益-db
V
DS
= 10 v
V
DS
= 5 v
f = 200 mhz
G
ps
NF
测试 电路
V
G2S
输入
输出
7 pf
7 pf
1000 pf
1000 pf
1000 pf1000 pf
1000 pf
1000 pf
1000 pf
15 pf
50
Ω
50
Ω
22 k
Ω
200
Ω
22 k
Ω
15 pf
V
G1S
L
1
L
2
L
3
V
DS
测试 情况
φ
φ
µ
V
DS
= 10 v, v
G2S
= 5 v, i
D
= 10 毫安
f = 200 mhz
L
1
:
0.6 mm u.e.w. 7 mm 3t
L
2
:
0.6 mm u.e.w. 7 mm 3t
L
3
:
rfc 2.2 h
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