MMDF1N05E
双 tmos 场效应晶体管
50 伏特
1.5 ampere
R
ds(在)
= 0.30 ohm
D
S
G
Source–1
1
2
3
4
8
7
6
5
顶 视图
Gate–1
Source–2
Gate–2
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
情况 751–05, 样式 11
SO–8
1
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
中等 电源 表面 挂载 产品
TMOS 双 n-频道
地方 效应 晶体管
MiniMOS
设备 是 一个 先进的 序列 的 电源 场效应晶体管s
这个utilize motorola’s tmos 处理. 这些 小型的 表面
挂载场效应晶体管s 特性 过激 低 r
ds(在)
和 真实 逻辑 水平的
效能.它们 是 有能力 的 承受 高 活力 在这
avalanche和 commutation 模式 和这 drain–to–source 二极管
有一个 低 反转 恢复 时间. minimos 设备 是 设计
为使用 在 低 电压, 高 速 切换 产品 在哪里
电源efficiency 是 important. typical 一个pplications 一个re dc–dc
转换器,一个nd power management in portable 一个nd battery
poweredproducts such 一个s computers, printers, cellular一个nd
cordlessphones. they c一个n 一个lso 是 used f或者low voltage motor
控制在 mass 存储 产品 此类 作 disk 驱动 和 录音带
drives.The 一个v一个l一个nche energyis specified to elimin在e the
guesswork在 设计 在哪里 inductive 负载 是 切换 和提供
额外的 安全 余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
过激 低 r
ds(在)
提供 高等级的 效率 和 extends 电池 生命
•
逻辑 水平的 门 驱动 — 能 是 驱动 用 逻辑 ics
•
小型的 so–8 表面 挂载 包装 — saves 板 空间
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
二极管 exhibits 高 速
•
avalanche 活力 指定
•
挂载 信息 为 so–8 包装 提供
•
I
DSS
指定 在 提升 温度
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–to–source 电压 V
DS
50 伏特
gate–to–source 电压 — 持续的 V
GS
±
20 伏特
流 电流 — 持续的
流 电流— 搏动
I
D
I
DM
2.0
10
放大器
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 v, v
GS
= 10 v, i
L
= 2 apk)
E
作
300 mJ
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
2.0
Watts
热的 阻抗 – 接合面 至 包围的
(1)
R
θ
JA
62.5
°
c/w
最大 温度 为 焊接,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
设备 标记
F1N05
(1) 挂载在 2” 正方形的 fr4 板 (1” sq. 2 oz. cu 0.06” 厚 单独的 sided) 和 一个 消逝 operating, 10 sec. 最大值
订货 信息
设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
MMDF1N05ER2 13
″
12 mm 压印浮凸 录音带 2500
minimos 是 一个 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
rev 5
顺序 这个 文档
用 mmdf1n05e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
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