MMDF1N05E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
0.1
0
0
7
0 2 4 6
10
8
6
4
2
I
D
, 流 电流 (放大器)
10
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比 流 电流 图示 4. on–resistance 变化 和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain–to–source on–resistance (ohms)
0 2 4 6 8
I
D
, 流 电流 (放大器) T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 50 0 50 100 150
1.8
1.6
1.2
0.8
0.4
0
R
ds(在)
, drain–to–source on–resistance
(normalized)
V
GS
= 10 v
0.2
0.3
0.4
0.5
100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
4 v
1 3 5 8
V
GS
= 10 v
I
D
= 1.5 一个
T
J
= 25
°
C
5 v
6 v
25
°
C
0.2
0.6
1
1.4
– 25 25 75 125
8 v
4.5 v
10 v
– 55
°
C
25
°
C
100
°
C
– 55
°
C
V
GS
= 3.5 v
V
DS
≥
10 v
100
°
C
图示 5. 在 阻抗 相比
gate–to–source 电压
图示 6. 门 门槛 电压 变化
和 温度
1501251007550250– 25– 50
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
V
gs(th)
, 门 门槛 电压 (normalized)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
V
DS
= v
GS
I
D
= 1 毫安
0.5
0.4
0.3
0.2
0
2 3
T
J
, 接合面 温度
I
D
= 1.5 一个
V
GS
= 0
0.1
4 5 6 7 8 9 10
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
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