MMDF1N05E
4
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
0V
GS
V
DS
C
iss
C
oss
161060
12
10
8
6
4
2
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 7. 电容 变化
2 4 8 12 14
图示 8. 门 承担 相比
gate–to–source 电压
1200
1000
800
600
400
0
20 10 0 20
c, 电容 (pf)
gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特)
200
15 5 5 10 15
V
DS
= 25 v
I
D
= 1.2 一个
V
DS
= 0
C
iss
C
rss
C
rss
V
GS
= 0
T
J
= 25
°
C
25
safe 运行 范围 信息
向前 片面的 safe 运行 范围
这fbsoa 曲线 定义 这 最大 drain–to–source
电压和 流 电流 那 一个 设备 能 safely handle
当它 是 向前 片面的,或者 当 它 是 在, 或者 正在 转变 在.
因为 这些 曲线 包含 这 限制 的 同时发生的
高电压 和 高 电流, 向上 至 这 比率 的 这 设备,
它们是 特别 有用的 至 designers 的直线的 系统. 这
曲线 是 为基础 在 一个 情况 温度 的25
°
C和 一个 maxi-
mum 接合面 温度 的 150
°
c. 限制 为 repetitive
脉冲在 各种各样的 情况 温度 能 是 决定用
使用the thermal response curves. motorol一个 一个pplication
便条,一个N569, “Transient thermalResistance — general
数据 和 它的 use” 提供 详细地 说明.
图示 9. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
1
10
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.01
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
10
0.1
直流
10 ms
1
100
100
挂载 在 2” sq. fr4 板 (1” sq. 2 oz. cu 0.06”
厚 单独的 sided) 和 一个 消逝 运行, 10s 最大值
100
µ
s
10
µ
s
图示 10. 热的 回馈
t, 时间 (s)
rthja(t), 有效的 瞬时
热的 阻抗
1
0.1
0.01
d = 0.5
单独的 脉冲波
1.0e–05 1.0e–04 1.0e–03 1.0e–02 1.0e–01 1.0e+00 1.0e+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0e+02 1.0e+03
0.001
10
0.0175
Ω
0.0710
Ω
0.2706
Ω
0.5776
Ω
0.7086
Ω
107.55 f1.7891 f0.3074 f0.0854 f0.0154 f
碎片
包围的
normalized 至
θ
ja 在 10s.
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