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MMFT3055E
6
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
图示 14. 电容 变化 和 电压
一样
设备 类型
作 dut
V
在
+18 V V
DD
10 V
100 k
0.1
µ
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
2N3904
47 k
15 V
100 k
V
在
= 15 v
pk
; 脉冲波 宽度
≤
100
µ
s, 职责 循环
≤
10%.
1 毫安
47 k
图示 15. 门 承担 相比
gate–to–source 电压
gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
C
rss
C
iss
C
oss
1400
20
1200
1000
800
600
400
200
0
15 10 5 0 5 10 15 20
图示 16. 门 承担 测试 电路
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
16
0
14
12
10
0
2 4 6 20
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
V
DS
= 36 v
8
6
4
2
8 10 12 14 16 18
48 v
V
GS
V
DS
T
J
= 25
°
C
f = 1 mhz
T
J
= 25
°
C
I
D
= 1.7 一个
V
GS
= 10 v

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MMFT3055E 6 motorola tmos 电源场效应晶体管晶体管设备数据图示 14. 电容变化和电压一样设备类型作 dut V 在 +18 V V DD 10 V 100 k 0.1 µ F FERRITE BEAD DUT 100 2N3904 2N3904 47 k 15 V 100 k V 在 = 15 v pk ; 脉冲波宽度 ≤ 100 µ s, 职责循环 ≤ 10%. 1 毫安 47 k 图示 15. 门承担相比 gate–to–source 电压 gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) C rss C iss C oss 1400 20 1200 1000 800 600 400 200 0 15 10 5 0 5 10 15 20 图示 16. 门承担测试电路 Q g , 总的门承担 (nc) 16 0 14 12 10 0 2 4 6 20 V GS , gate–to–source 电压 (伏特) V DS = 36 v 8 6 4 2 8 10 12 14 16 18 48 v V GS V DS T J = 25 ° C f = 1 mhz T J = 25 ° C I D = 1.7 一个 V GS = 10 v

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