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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
中等 电源 地方 效应 晶体管
n–channel 增强 模式
硅 门 tmos e–fet
t
sot–223 为 表面 挂载
这个一个dvanced e–FEt is 一个 tMOs medium power mOSFET
设计至 承受 高 活力 在 这 avalanche 和 commuta-
tionmodes. thisnew energy efficient device 一个lso offers 一个
drain–to–source二极管 和一个 快 恢复 时间. 设计 为 低
电压,high speedswitching 一个pplications in power supplies,
dc–dcconverters 一个nd pWMmotor controls, these devices 一个re
特别好 suited 为 桥 电路 在哪里 二极管 速 和
commutatingsafe运行 areas 是 核心的 和 的fer 额外的
安全余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客. 这 设备 是
housed在 这 sot–223 包装 这个 是 设计 为 中等
电源 表面 挂载 产品.
•
硅 门 为 快 切换 speeds
•
低 r
ds(在)
— 0.15
Ω
最大值
•
这 sot–223 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 re-
流动. 这 formed leads absorb 热的 压力 在 sol-
dering, eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝
•
有 在 12 mm 录音带 和 卷轴
使用 mmft3055et1 至 顺序 这 7 inch/1000 单位 卷轴.
使用 mmft3055et3 至 顺序 这 13 inch/4000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–to–source 电压 V
DS
60
Vdc
gate–to–source 电压 — 持续的 V
GS
±
20
Vdc
流 电流 — 持续的
流 电流— 搏动
I
D
I
DM
1.7
6.8
模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
(1)
0.8
6.4
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–65 至 150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 60 v, v
GS
= 10 v, 顶峰 i
L
= 1.7 一个, l = 0.2 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
168 mJ
设备 标记
3055
热的 特性
热的阻抗 — junction–to–ambient (表面 挂载) R
θ
JA
156
°
c/w
最大 temperature 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
(1) 电源 比率 当 挂载 在 fr–4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 推荐 footprint.
tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
e–fet 是 一个 商标 的 motorola, 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 3
顺序 这个 文档
用 mmft3055e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
MMFT3055E
中等 电源
tmos 场效应晶体管
1.7 放大
60 伏特
R
ds(在)
= 0.15 ohm
motorola preferred 设备
情况 318e–04, 样式 3
TO–261AA
D
S
G
2,4
3
1
1
2
3
4
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