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资料编号:485569
 
资料名称:MMUN2213LT1
 
文件大小: 146.66K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2211s–2/11
mmun2211lt1 序列
热的 特性
比率 标识 单位
热的 阻抗 – 接合面-至-包围的 (表面 挂载) R
θ
JA
625
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
,T
stg
–65 至 +150
°
C
最大 温度 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= 50V, i
E
= 0) I
CBO
100 nAdc
集电级-发射级 截止 电流 (v
CE
= 50V, i
B
= 0) I
CEO
500 nAdc
发射级-根基 截止 电流 MMUN2211LT1
(v
EB
= 6.0V,
I
C
= 0)MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
I
EBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
4.0
0.1
mAdc
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
一个,I
E
= 0) V
(br)cbo
50 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (便条 2.), (i
C
= 2.0 毫安,I
B
= 0) V
(br)ceo
50 Vdc
在 特性
(便条 2.)
直流 电流 增益 MMUN2211LT1
(v
CE
= 10V,
I
C
= 5.0 毫安)MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2235LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
160
160
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
350
350
集电级-发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安,I
B
= 0.3 毫安)
(i
C
= 10 毫安,I
B
= 5 毫安) mmun2230Lt1/mmun2231LT1
(i
C
= 10 毫安,I
B
= 1 毫安) mmun2215Lt1/mmun2216LT1
mmun2232lt1/mmun2233lt1/mmun2234lt1/
mmun2235lt1/mmun2238lt1
V
ce(sat)
0.25 Vdc
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%.
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