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128mb, 64mb, 32mb q-flash 记忆 micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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128mb, 64mb, 32mb
q-flash 记忆
表格 4
micron q-flash 记忆 command 设置 定义
1
COMMAND 可称量的 总线
或者 基本 循环 第一 总线 循环 第二总线循环
COMMAND REQ’D
设置
2
OPER
3
地址
4
数据
5, 6
OPER
3
地址
4
数据
5, 6
NOTES*
读 排列 scs/bcs 1 WRITE X FFh
读 identifier scs/bcs
2 写 X 90h 读 IA ID 7
代号
读 query SCS
2 写 X 98h 读 Q一个 QD
读 状态 scs/bcs 2 WRITE X 70h 读 X SRD 8
寄存器
clear 状态 scs/bcs 1 WRITE X 50h
寄存器
写 至 缓存区 scs/bcs > 2 WRITE B一个 E8h 写 B一个 N 9, 10, 11
文字/字节 scs/bcs 2 WRITE X 40h 写 PA PD 12, 13
程序 或者
10h
块 擦掉 scs/bcs 2 WRITE B一个 20h 写 B一个 D0h 11, 12
块 擦掉, scs/bcs 1 WRITE X B0h 12, 14
程序 suspend
块 擦掉, scs/bcs 1 WRITE X D0h 12
程序 重新开始
配置 SCS 2 WRITE X B8h 写 X CC
设置 块 锁 位 SCS 2 WRITE X 60h 写 B一个 01h
clear 块 SCS 2 WRITE X 60h 写 X D0h 15
锁 位
保护 2 写 X C0h 写 PA PD
程序
*notes 呈现 在 这 next 页.
command 定义
当 这 v
PEN
电压 是 较少 比 v
PPLK
, 仅有的 读
行动 从 这 状态 寄存器, query, identifier
代号, 或者 blocks 是 使能. 放置 v
PENH
在 v
PEN
en-
ables 块 擦掉, 程序, 和 锁 位 con-
figuration 行动. 设备 行动 是 se-
lected 用 writing 明确的 commands 在 这 cel, 作
seen 在 表格 4.
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