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128mb, 64mb, 32mb q-flash 记忆 micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mt28f640j3_7.p65 – rev. 6, pub. 8/02 ©2002, micron 技术, 公司
128mb, 64mb, 32mb
q-flash 记忆
便条:
1. commands 其它 比 那些 显示 在 表格 4 是 保留 为 future 设备 implementations 和 应当 不 是 使用.
2. 这 scs 是 也 涉及 至 作 这 扩展 command 设置.
3. 总线 行动 是 定义 在 表格 3.
4. x = 任何 有效的 地址 在里面 这 设备
ba = 地址 在里面 这 块
ia = identifier 代号 地址; 看 图示 2 和 表格 15
qa = query 数据 根基 地址
pa = 地址 的 记忆 location 至 是 编写程序
5. id = 数据 读 从 identifier 代号
qd = 数据 读 从 query 数据 根基
srd = Data 读 从 状态 寄存器; 看 表格 16 为 一个 描述 的 这 状态 寄存器 位
pd = 数据 至 是 编写程序 在 location pa; 数据 是 latched 在 这 rising 边缘 的 we#
cc = 配置 代号
6. 这 upper 字节 的 这 数据 总线 (dq8–dq15) 在 command 写 是 一个 “don’t care” 在 x16 运作.
7. 下列的 这 读 identifier 代号 command, 读 行动 进入 生产者, 设备, 和 块 锁 代号.
看 块 状态 寄存器 部分 为 读 identifier 代号 数据.
8. 如果 这 ism 是 运动, 仅有的 dq7 是 有效的; dq15–dq8 和 dq6–dq0 float, 这个 places 它们 在 高-z.
9. 之后 这 写-至-缓存区 command 是 issued, 审查 这 xsr 至 制造 确信 一个 缓存区 是 有 为 writing.
10. 这 号码 的 字节/words 至 是 写 至 这 写 缓存区 =
n
+ 1, 在哪里
n
= 字节/文字 计数 argument. 计数
范围 在 这个 设备 为 字节 模式 是
n
= 00h 至
n
= 1fh 和 为 文字 模式,
n
= 0000h 至
n
= 000fh. 这 第三 和
consecutive 总线 循环, 作 决定 用
n
, 是 为 writing 数据 在 这 写 缓存区. 这 confirm command (d0h) 是
预期的 之后 exactly
n
+ 1 写 循环; 任何 其它 command 在 那 要点 在 这 sequence aborts 这 写-至-
缓存区 运作. 请 看 图示 4, 写-至-缓存区 flowchart, 为 额外的 information.
11. 这 写-至-缓存区 或者 擦掉 运作 做 不 begin 直到 一个 confirm command (d0h) 是 issued.
12. attempts 至 公布 一个 块 擦掉 或者 程序 至 一个 锁 块 当 rp# = v
IH
将 失败.
13. 也 40h 或者 10h 是 公认的 用 这 ism 作 这 字节/文字 程序 建制.
14. 程序 suspend 能 是 issued 之后 也 这 写-至-缓存区 或者 文字/字节 程序 运作 是 initiated.
15. 这 clear 块 锁 位 运作 同时发生地 clears 所有 块 锁 位.
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