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128mb, 64mb, 32mb q-flash 记忆 micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
mt28f640j3_7.p65 – rev. 6, pub. 8/02 ©2002, micron 技术, 公司
128mb, 64mb, 32mb
q-flash 记忆
图示 1
记忆 编排
表格 2
碎片 使能 真实 表格
CE2 CE1 CE0 设备
V
IL
V
IL
V
IL
使能
V
IL
V
IL
V
IH
无能
V
IL
V
IH
V
IL
无能
V
IL
V
IH
V
IH
无能
V
IH
V
IL
V
IL
使能
V
IH
V
IL
V
IH
使能
V
IH
V
IH
V
IL
使能
V
IH
V
IH
V
IH
无能
便条:
为 单独的-碎片 产品, ce2 和 ce1 能 是
连接 至 地.
128kb 块 31
128kb 块 1
128kb 块 0
64k-文字 块 63
64k-文字 块 31
64k-文字 块 1
64k-文字 块 0
7FFFFFh
7E0000h
3FFFFFh
3E0000h
03FFFFh
020000h
01FFFFh
000000h
3FFFFFh
3F0000h
1FFFFFh
1F0000h
01FFFFh
010000h
00FFFFh
000000h
32M
b
64Mb
128Mb
字节-宽 (x8) 模式 文字-宽 (x16) 模式
a0–a23: 128mb
a0–a22: 64mb
a0–a21: 32mb
a1–a23: 128mb
a1–a22: 64mb
a1–a21: 32mb
128kb 块 63
64k-文字 块 127
FFFFFFh
FE0000h
7FFFFFh
7F0000h
128kb 块 127
记忆 architecture
这 mt28f128j3, mt28f640j3, 和 mt28f320j3
记忆 排列 architecture 是 分隔 在 一个 hun-
dred twenty-第八, sixty-四, 或者 thirty-二 128kb
blocks, 各自 (看 图示 1). 这 内部的 archi-
tecture 准许 更好 flexibility 当 updating 数据
因为 单独的 代号 portions 能 是 updated 在-
dependently 的 这 rest 的 这 代号.
高-速 页 缓存区. a0–a2 选择 数据 在 这 页
缓存区. 异步的 页 模式, 和 一个 页 大小 的
四 words 或者 第八 字节, 是 supported 和 非 addi-
tional commands 必需的.
输出 使不能运转
这 设备 输出 是 无能 和 oe# 在 一个 逻辑
高 水平的 (v
IH
). 输出 管脚 dq0–dq15 是 放置 在
高-z.
备用物品
ce0, ce1, 和 ce2 能 使不能运转 这 设备 (看
表格 2) 和 放置 它 在 备用物品 模式, 这个 substan-
tially 减少 设备 电源 消耗量. dq0–dq15
输出 是 放置 在 高-z, 独立 的 oe#. 如果
deselected 在 块 擦掉, 程序, 或者 锁 位 con-
figuration, 这 ism 持续 起作用 和 consum-
ing 起作用的 电源 直到 这 运作 完成.
重置/电源-向下
rp# puts 这 设备 在 这 重置/电源-向下
模式 当 设置 至 v
IL
.
在 读, rp# 低 deselects 这 记忆, places
输出 驱动器 在 高-z, 和 转变 止 内部的 cir-
cuitry. rp# 必须 是 使保持 低 为 一个 最小 的
t
plph.
t
rwh 是 必需的 之后 返回 从 重置 模式 直到
最初的 记忆 进入 输出 是 有效的. 之后 这个 wake-
向上 间隔, 正常的 运作 是 restored. 这 com-
mand 执行 逻辑 (cel) 是 重置 至 这 读 排列
模式 和 这 状态 寄存器 是 设置 至 80h.
在 块 擦掉, 程序, 或者 锁 位 configura-
tion, rp# 低 aborts 这 运作. 在 default 模式,
sts transitions 低 和 仍然是 低 为 一个 最大
时间 的
t
plph +
t
phrh, 直到 这 重置 运作 是
完全. 任何 记忆 内容 改变 是 非 变长
总线 运作
所有 总线 循环 至 和 从 这 flash 记忆 必须
遵从 至 这 标准 微处理器 总线 循环.
这 local cpu 读 和 写 flash 记忆 在-
系统.
读
信息 能 是 读 从 任何 块, query, iden-
tifier 代号, 或者 状态 寄存器, regardless 的 这 v
PEN
电压. 这 设备 automatically resets 至 读 排列
模式 在之上 最初的 设备 电源-向上 或者 之后 exit 从
重置/电源-向下 模式. 至 进入 其它 读 模式
commands (读 排列, 读 query, 读 iden-
tifier 代号, 或者 读 状态 寄存器), 这些
commands 应当 是 issued 至 这 cui. 六 控制
管脚 dictate 这 数据 流动 在 和 输出 的 这 设备: ce0,
ce1, ce2, oe#, we#, 和 rp#. 在 系统 设计 使用
多样的 q-flash 设备, ce0, ce1, 和 ce2 (cex)
选择 这 记忆 设备 (看 表格 2). 至 驱动 数据
输出 的 这 设备 和 面向 这 i/o 总线, oe# 必须 是
起作用的 和 we# 必须 是 inactive (v
IH
).
当 读 信息 在 读 排列 模式, 这
设备 defaults 至 异步的 页 模式, 因此 pro-
viding 一个 高 数据 转移 比率 为 记忆 subsystems.
在 这个 状态, 数据 是 内部 读 和 贮存 在 一个
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