MTB50P03HDL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–to–source 损坏 电压 (c
pk
≥
2.0) (3)
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 250
µ
模数转换器)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
30
—
—
26
—
—
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 30 vdc, v
GS
= 0 vdc)
(v
DS
= 30 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
—
—
—
—
1.0
10
µ
模数转换器
gate–body 泄漏 电流
(v
GS
=
±
15 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
— — 100
nAdc
在 特性 (1)
门 门槛 电压 (c
pk
≥
3.0) (3)
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
模数转换器)
门槛 温度 系数 (负的)
V
gs(th)
1.0
—
1.5
4.0
2.0
—
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain–source on–resistance (c
pk
≥
3.0) (3)
(v
GS
= 5.0 vdc, i
D
= 25 模数转换器)
R
ds(在)
— 20.9 25
mOhm
drain–source on–voltage (v
GS
= 5.0 vdc)
(i
D
= 50 模数转换器)
(i
D
= 25 模数转换器, t
J
=125
°
c)
V
ds(在)
—
—
0.83
—
1.5
1.3
Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 5.0 vdc, i
D
= 25 模数转换器)
g
FS
15 20 —
mhos
动态 特性
输入 电容
(v 25 Vdc V 0 Vdc
C
iss
— 3500 4900 pF
输出 电容
(v
DS
= 25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz
)
C
oss
— 1550 2170
转移 电容
f = 1.0 mhz)
C
rss
— 550 770
切换 特性 (2)
turn–on 延迟 时间
(v 15 Vd I 50 Ad
t
d(在)
— 22 30 ns
上升 时间
(v
DD
= 15 vdc, i
D
= 50 模数转换器,
V
GS
=50Vdc
t
r
— 340 466
turn–off 延迟 时间
V
GS
= 5.0 vdc,
R
G
= 2.3
Ω
)
t
d(止)
— 90 117
下降 时间
G
)
t
f
— 218 300
门 承担
(看 图示 8)
(v 24 Vd I 50 Ad
Q
T
— 74 100 nC
(看 图示 8)
(v
DS
= 24 vdc, i
D
= 50 模数转换器,
Q
1
— 13.6 —
(
DS
,
D
,
V
GS
= 5.0 vdc)
Q
2
— 44.8 —
Q
3
— 35 —
source–drain 二极管 特性
向前 on–voltage
(i
S
= 50 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
= 50 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
V
SD
—
—
2.39
1.84
3.0
—
Vdc
反转 恢复 时间
(看 图示 15)
(i 50 Ad V 0 Vd
t
rr
— 106 —
ns
(看 图示 15)
(i
S
= 50 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
t
一个
— 58 —
(
S
,
GS
,
dI
S
/dt = 100 一个/
µ
s)
t
b
— 48 —
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
— 0.246 —
µ
C
内部的 包装 电感
内部的 流 电感
(量过的 从 这 流 含铅的 0.25
″
从 包装 至 中心 的 消逝)
L
D
— 3.5 — nH
内部的 源 电感
(量过的 从 这 源 含铅的 0.25
″
从 包装 至 源 bond 垫子)
L
S
— 7.5 — nH
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
(2) 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
(3) reflects 典型 值.
C
pk
=
最大值 限制 – 典型值
3 x sigma
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