MTD6N20E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 3 一个
9 v
8 v
7 v
6 v
5 v
100
°
C
V
GS
= 10 v
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
T
J
= 125
°
C
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.70
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 2 3 4 5 6 7 8 9
0 2 4 6 8 10 12 0 2 4 6 8 10 12
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 200
0.4
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
10
25
°
C
100
°
C