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资料编号:513773
 
资料名称:NDP6060
 
文件大小: 360.67K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源 avalanche
活力
V
DD
= 25 v, i
D
= 48 一个 200 mJ
I
AR
最大 流-源 avalanche 电流 48 一个
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250µ一个
60 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 60 v,V
GS
= 0 v
250 µ一个
T
J
= 125°c
1 毫安
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 20 v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转 V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 1)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µ一个
2 2.9 4 V
T
J
= 125°c
1.4 2.3 3.6
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= 10 v,I
D
= 24 一个 0.02 0.025
T
J
= 125°c
0.032 0.04
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v, v
DS
= 10 v
48 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 10 v, i
D
= 24 一个 10 19 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
1190 1800 pF
C
oss
输出 电容 475 800 pF
C
rss
反转 转移 电容 150 400 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 1)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 30 v, i
D
= 48 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 7.5
10 20 nS
t
r
转变 - 在 上升 时间 145 300 nS
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 28 60 nS
t
f
转变 - 止 下降 时间 77 150 nS
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 48 v,
I
D
= 48 一个, v
GS
= 10v
39 70 nC
Q
gs
门-源 承担 7.6 nC
Q
gd
门-流 承担 22 nC
ndp6060 rev. b1 / ndb6060 rev. c
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