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资料编号:513773
 
资料名称:NDP6060
 
文件大小: 360.67K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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ndp6060 rev. b1 / ndb6060 rev. c
0 1 2 3 4 5 6
0
20
40
60
80
100
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = 20v
GS
DS
D
6.0
5.0
7.0
8.0
10
12
9.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
v = 10v
GS
i = 24a
D
r , normalized
ds(在)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压
J
v , normalized
gs(th)
i = 250µa
D
v = v
GS
DS
0 20 40 60 80 100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = 6.0v
GS
9.0
10
7.0
8.0
20
12
0 20 40 60 80 100
0.5
1
1.5
2
2.5
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = 10v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
D
r , normalized
ds(在)
2 4 6 8 10
0
10
20
30
40
50
60
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25°C
125°C
v = 10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
图示 2. 在-阻抗 变化 with
电压 和 流 电流
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化 和 流
电流 和 温度
图示 5. 转移 特性 图示 6. 门 门槛 变化 和
温度
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