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资料编号:513773
 
资料名称:NDP6060
 
文件大小: 360.67K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ndp6060 rev. b1 / ndb6060 rev. c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
v = 0v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
SD
S
0 20 40 60 80
0
5
10
15
20
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
48V
i = 48a
D
v = 12v
DS
24V
1 2 3 5 10 20 30 50
100
200
300
500
1000
2000
3000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
输出
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
V
输出
d(止)
f
r
d(在)
t t
t
tt
t
INVERTED
10%
脉冲波WIDTH
图示 7. 损坏 电压 变化 和
温度
图示 8. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 电流 和 温度
图示 9.电容 特性 图示 10. 门 承担 特性
图示 11.切换 测试 电路 图示 12.切换 波形
典型 电的 特性
(持续)
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