april 1997
NDS351AN
n-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
_________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 NDS351一个 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 20 V
I
D
最大 流 电流 - 持续的(便条 1a) ±1.2 一个
- 搏动 ±10
P
D
最大电源 消耗(便条 1a) 0.5 W
(便条 1b)
0.46
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 250 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 75 °c/w
nds351an rev. c
1.2一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.25
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 0.16
Ω
@ v
GS
= 10v.
工业 标准 外形 sot-23 表面 挂载 包装
使用 专卖的 supersot
TM
-3 设计 为 更好的
热的 和 电的 能力.
高 密度 cell 设计为极其 低 r
ds(在)
.
exceptional 在-阻抗 和 最大 直流 电流
能力.
紧凑的 工业 标准 sot-23 表面 挂载
D
S
G
这些 n-channel 逻辑 水平的 增强 模式 电源 地方
效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的,
高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗.
这些 设备 是 特别 suited 为 低 电压
产品 在 notebook 计算机, 可携带的 phones, pcmcia
cards, 和其它 电池 powered 电路 在哪里 快
切换, 和 低 在-线条 电源 丧失是 需要 在 一个 非常 小
外形 表面 挂载 包装.
© 1997 仙童 半导体 公司
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