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资料编号:513810
 
资料名称:NDS351AN
 
文件大小: 76.45K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds351an rev. c
典型 电的 特性(持续)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = 250µa
D
bv , normalized
DSS
J
图示 7. 损坏 电压变化 和
温度
.
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 30
50
80
100
150
200
300
400
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 9.电容 特性
.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
图示 8. 身体 二极管 向前 电压变化 和
源 电流 和 温度
.
0 1 2 3 4
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 1.2a
D
10V
15V
v = 5v
DS
图示 10. 门 承担 特性
.
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
输出
V
GS
DUT
R
GEN
图示 11.切换 测试 电路
.
图示 12.切换 波形
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
V
输出
d(止)
f
r
d(在)
t t
t
tt
t
INVERTED
10%
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