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资料编号：513810
 
资料名称：NDS351AN
 
文件大小： 76.45K
   
说明：
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa 30 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24v,V
GS
= 0 v
1 µ一个
T
J
=125°C
10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -20 v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µ一个 0.8 1.7 2 V
T
J
=125°C
0.5 1.3 1.5
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= 4.5v, i
D
= 1.2一个
0.19 0.25
Ω
T
J
=125°C
0.28 0.37
V
GS
= 10v, i
D
= 1.4一个
0.125 0.16
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 4.5v, v
DS
= 5V
3.5 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= 5 v, i
D
= 1.2 一个,
1.8 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 10v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
125 pF
C
oss
输出 电容 100 pF
C
rss
反转 转移 电容 90 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= 10v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 50
Ω
6 15 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 15 30 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 14 30 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 18 40 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= 10 v, i
D
= 1.2 一个,
V
GS
= 4.5 v
1.9 2.7 nC
Q
gs
门-源 承担 0.5 nC
Q
gd
门-流 承担 0.9 nC
nds351an rev. c
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