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资料编号:513819
 
资料名称:NDS332P
 
文件大小: 78.68K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16 v,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
T
J
= 55°C
-10 µ一个
I
GSS
门 - 身体 泄漏电流
V
GS
= 8v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSS
门 - 身体 泄漏电流
V
GS
= -8v,V
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µ一个 -0.4 -0.6 -1 V
T
J
=125°C
-0.3 -0.45 -0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -2.7v, i
D
= -1一个
0.35 0.41
T
J
=125°C
0.5 0.74
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -1.1 一个 0.26 0.3
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -2.7 v, v
DS
= -5 v -1.5 一个
V
GS
= -4.5 v, v
DS
= -5 v -2.5
g
F
S
向前 跨导
V
DS
= -5 v, i
D
= -1 一个
2.2
S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
195 pF
C
oss
输出 电容 105 pF
C
rss
反转 转移 电容 40 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -6v, i
D
= -1一个,
V
GS
= -4.5v, r
GEN
= 6
8 15 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 30 45 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 25 45 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 27 45 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -5 v, i
D
= -1 一个,
V
GS
= -4.5 v
3.7 5 nC
Q
gs
门-源 承担 0.5 nC
Q
gd
门-流 承担 0.9 nC
nds332p rev. e
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