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资料编号:513819
 
资料名称:NDS332P
 
文件大小: 78.68K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds332prev. e
图示 7. 损坏 电压变化 和
温度
.
典型 电的 特性(持续)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
输出
V
GS
DUT
R
GEN
图示 9.电容 特性
.
图示 10. 门 承担 特性
.
图示 11.切换 测试 电路
.
图示 12.切换 波形
.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 损坏 电压
i = -250µa
D
bv , normalized
DSS
J
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0.0001
0.001
0.01
0.05
0.1
1
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
-55°c
v =0v
GS
SD
S
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
20
30
50
100
200
300
500
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
0 1 2 3 4 5
0
1
2
3
4
5
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = -1a
D
v = -5v
DS
-10v
-15v
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
V
输出
d(止)
f
r
d(在)
t t
t
tt
t
INVERTED
10%
Pulse 宽度
图示 8. 身体 二极管 forwardvoltage变化 和
源 电流 和 温度
.
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