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资料编号:513819
 
资料名称:NDS332P
 
文件大小: 78.68K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds332p rev.e
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
.
典型 电的 特性
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
.
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
.
图示 5. 转移 特性
.
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度.
-3-2.5-2-1.5-1-0.50
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -2.7 v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
-2-1.75-1.5-1.25-1-0.75-0.5
-1.5
-1.2
-0.9
-0.6
-0.3
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
v = - 3v
DS
25°C
125°C
GS
D
t = -55°c
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压 (v)
J
i = -250µa
D
v = v
DS
GS
v , normalized
th
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
v = -2.7
GS
i = -1a
D
J
r , normalized
ds(在)
-3-2.5-2-1.5-1-0.50
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
-2.5
DS
D
v = -4.5v
GS
-3.5
-2.0
-1.5
-2.7 -3.0
-3-2.5-2-1.5-1-0.50
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v =-2.0v
GS
D
-2.7
r , normalized
ds(在)
-3.0
-4.5
-3.5
-2.5
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