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资料编号:513823
 
资料名称:NDS352P
 
文件大小: 78.91K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250 µa -20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16v,V
GS
= 0 v
-5 µ一个
T
J
=125°C
-20 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前 V
GS
= 12v,V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -12v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µ一个 -0.8 -1.6 -2.5 V
T
J
=125°C
-0.5 -1.3 -2.2
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.5v, i
D
= -0.85一个
0.46 0.5
T
J
=125°C
0.59 0.7
V
GS
= -10v, i
D
= -1一个
0.35
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5V
-2 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -5 v, i
D
= -0.85一个
1.5 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
125 pF
C
oss
输出 电容 140 pF
C
rss
反转 转移 电容 45 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -10 v, i
D
= -1一个,
V
GS
= -10 v, r
GEN
= 50
8 15 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 19 30 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 64 90 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 61 90 ns
Q
g
总的 门 承担 V
DS
= -10 v, i
D
= -0.85 一个,
V
GS
= -5 v
2.2 4 nC
Q
gs
门-源 承担 1 nC
Q
gd
门-流 承担 2 nC
nds352p rev. f1
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