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资料编号:513823
 
资料名称:NDS352P
 
文件大小: 78.91K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds352p rev. f1
-5-4-3-2-10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
i , 流 电流 (一个)
g , 跨导 (siemens)
t = -55°c
J
25°C
D
FS
v = -5v
DS
125°C
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
- v , 流-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)
rds(在) 限制
D
v = -10v
单独的 脉冲波
t = 25°c
一个
直流
GS
DS
1s
100ms
10ms
100us
1ms
10s
图示 13. 跨导 变化 和
流 电流 和 温度
图示 14. 最大 safe 运行 范围
典型 电的 特性
(持续)
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1 2
r (t) = r(t)*R
r = 250 °c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
图示 15. 瞬时 热的 回馈 曲线
便条 :描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1c. 瞬时 热的 回馈 将
改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
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