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资料编号:513823
 
资料名称:NDS352P
 
文件大小: 78.91K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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nds352p rev. f1
-4-3-2-10
-5
-4
-3
-2
-1
0
v , 流-源 电压 (v)
i , 流-源 电流 (一个)
v = -10v
GS
DS
D
-3.0
-3.5
-7.0
-5.0
-4.5
-4.0
-5.5
-5-4-3-2-10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -3.5 v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-4.0
-10
-5.5
-5.0
-4.5
-7.0
图示 1. 在-区域 特性 图示 2. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 门 电压
典型 电的 特性
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗 (ohms)
J
v = -4.5v
GS
i = -0.85a
D
r , normalized
ds(在)
-4-3-2-10
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
r , normalized
ds(在)
v = -4.5v
GS
t = 125°c
J
25°C
-55°c
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度
图示 4. 在-阻抗 变化
和 流 电流 和 温度
-6-5-4-3-2-1
-5
-4
-3
-2
-1
0
v , 门 至 源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
25
125
v = -10v
DS
GS
D
t = -55°c
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
t , 接合面 温度 (°c)
门-源 门槛 电压 (v)
J
i = -250µa
D
v = v
DS
GS
v , normalized
th
图示 5. 转移 特性
图示 6. 门 门槛 变化
和 温度
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