ngd15n41clt4, ngb15n41clt4, ngp15n41cl
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2
unclamped collector−to−emitter avalanche 特性
(−55
°
≤
T
J
≤
175
°
c)
典型的
标识 值 单位
单独的 脉冲波 collector−to−emitter avalanche 活力
V
CC
= 50 v, v
GE
= 5.0 v, pk i
L
= 16.6 一个, l = 1.8 mh, 开始 t
J
= 25
°
C
V
CC
= 50 v, v
GE
= 5.0 v, pk i
L
= 15 一个, l = 1.8 mh, 开始 t
J
= 125
°
C
E
作
250
200
mJ
热的 特性
典型的 标识 值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.4
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 dpak (便条 1) R
θ
JA
100
D
2
pak (便条 1) R
θ
JA
50
TO−220 R
θ
JA
62.5
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 5 秒 T
L
275
°
C
电的 特性
典型的 标识 测试 情况 温度 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector−emitter clamp voltage BV
CES
I
C
= 2.0 毫安 T
J
= −40
°
c 至 380 410 440 V
直流
collector−emitter clam 电压 BV
CES
I
C
= 2.0毫安 T
J
=−40 C至
150
°
C
380 410 440 V
直流
I
C
= 10 毫安 T
J
= −40
°
c 至
150
°
C
380 410 440
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V 350 V
T
J
= 25
°
C − 2.0 20
µ
一个
直流
g
CES
V
CE
= 350 v,
V
GE
=0 v
T
J
= 150
°
C − 10 40*
µ
直流
V
GE
=0 v
T
J
= −40
°
C − 1.0 10
反转 collector−emitter 泄漏 电流 I
ECS
V 24 V
T
J
= 25
°
C − 0.7 2.0
mAg
ECS
V
CE
= −24 v
T
J
= 150
°
C − 12 25*
T
J
= −40
°
C − 0.1 1.0
反转 collector−emitter clamp 电压 B
vces(r)
I 75 一个
T
J
= 25
°
C 27 33 37
V
直流
g
vces(r)
I
C
= −75 毫安
T
J
= 150
°
C 30 36 40
直流
T
J
= −40
°
C 25 31 35
gate−emitter clamp 电压 BV
GES
I
G
= 5.0 毫安 T
J
= −40
°
c 至
150
°
C
11 13 15 V
直流
gate−emitter 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= 10 v T
J
= −40
°
c 至
150
°
C
384 640 1000
µ
一个
直流
门 电阻 (optional) R
G
− T
J
= −40
°
c 至
150
°
C
− 70 −
Ω
门 发射级 电阻 R
GE
− T
J
= −40
°
c 至
150
°
C
10 16 26
k
Ω
在 特性
(便条 2)
门 门槛 电压
V
ge(th)
I 10 一个
T
J
= 25
°
C 1.1 1.4 1.9
V
直流
g
ge(th)
I
C
= 1.0 毫安,
V
GE
= v
CE
T
J
= 150
°
C 0.75 1.0 1.4
直流
V
GE
=V
CE
T
J
= −40
°
C 1.2 1.6 2.1*
门槛 温度 系数
(负的)
− − − − 3.4 − mv/
°
C
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
*maximum 值 的 典型的 横过 温度 范围.
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