半导体 组件 industries, llc, 2004
march, 2004 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
ngd15n41cl/d
ngd15n41clt4,
ngb15n41clt4,
NGP15N41CL
preferred 设备
ignition igbt
15 放大器, 410 伏特
n−channel dpak, d
2
pak 和 to−220
这个 逻辑 水平的 insulated 门 双极 晶体管 (igbt) 特性
大而单一的 电路系统 integrating 静电释放 和 over−voltage clamped
保护 为 使用 在 inductive coil 驱动器 产品. primary 使用
包含 ignition, 直接 fuel injection, 或者 wherever 高 电压 和
高 电流 切换 是 必需的.
•
完美的 为 coil−on−plug 产品
•
dpak 包装 提供 小 footprint 和 增加 板 空间
•
gate−emitter 静电释放 保护
•
温度 补偿 gate−collector 电压 clamp 限制
压力 应用 至 加载
•
整体的 静电释放 二极管 保护
•
新 设计 增加 unclamped inductive 切换 (uis) 活力
每 范围
•
低 门槛 电压 至 接口 电源 负载 至 逻辑 或者
微处理器 设备
•
低 饱和 电压
•
高 搏动 电流 能力
•
optional 门 电阻 (r
G
) 和 gate−emitter 电阻 (r
GE
)
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
collector−emitter 电压 V
CES
440 V
直流
collector−gate 电压 V
CER
440 V
直流
gate−emitter 电压 V
GE
15 V
直流
集电级 current−continuous
@ t
C
= 25
°
c − 搏动
I
C
15
50
一个
直流
一个
交流
静电释放 (人 身体 模型)
r = 1500
Ω
, c = 100 pf
静电释放
8.0
kV
静电释放 (机器 模型) r = 0
Ω
, c = 200 pf 静电释放 800 V
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
107
0.71
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
+175
°
C
15 放大器
410 伏特
V
ce(在)
2.1 v @
I
C
= 10 一个, v
GE
4.5 v
C
E
G
R
GE
R
G
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 8 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
看 一般 标记 信息 在 这 设备 标记
部分 在 页 8 的 这个 数据 薄板.
设备 标记 信息
TO−220AB
情况 221a
样式 9
1
2
3
4
1
2
3
4
D
2
PAK
情况 418b
样式 4
DPAK
情况 369c
样式 2
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
http://onsemi.com
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