ngd15n41clt4, ngb15n41clt4, ngp15n41cl
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典型 电的 特性
(除非 否则 指出)
门 至 发射级 电压 (伏特)
0
40
6
10
42
I
c,
集电级 电流 (放大器)
0
60
20
30
50
81357
0
40
6
10
42
I
c,
集电级 电流 (放大器)
0
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (伏特)
图示 1. 输出 特性 图示 2. 输出 特性
0
25
20
15
10
21.51
5
30
0
0.5 2.5 3 3.5
图示 3. 输出 特性
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (伏特)
图示 4. 转移 特性
I
c,
集电级 电流 (放大器)
图示 5. collector−to−emitter 饱和
电压 相比 接合面 温度
图示 6. collector−to−emitter 电压 相比
gate−to−emitter 电压
60
V
GE
= 10 v
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (伏特)
20
30
50
81357
5 v
T
J
= 25
°
C T
J
= −40
°
C
V
GE
= 10 v
5 v
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
T
J
= 150
°
C
4 4.5 5
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
0
40
6
10
42
I
c,
集电级 电流 (放大器)
0
60
20
30
50
81357
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (伏特)
T
J
= 150
°
C
V
GE
= 10 v
5 v
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
2.5
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (伏特)
−50 50 75250 100−25 125
1.0
3.0
0.5
2.0
0.0
3.5
4.0
1.5
150
V
GE
= 5 v
I
C
= 25 一个
I
C
= 20 一个
I
C
= 15 一个
I
C
= 10 一个
I
C
= 5 一个
2.5
集电级 至 发射级 电压 (伏特)
3675849
1
0.5
2
0
3
1.5
10
I
C
= 15 一个
I
C
= 10 一个
I
C
= 5 一个
V
CE
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
T
J
= 25
°
C
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