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nm27c128 131,072-位 (16k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
绝对 最大 比率
(便条 1)
存储 温度 -65
°
c 至 +150
°
C
所有 输入 电压 除了 a9 和
遵守 至 地面 -0.6v 至 +7v
V
PP
和 a9 和 遵守
至 地面 -0.7v 至 +14v
V
CC
供应 电压 和
遵守 至 地面 -0.6v 至 +7v
静电释放 保护 > 2000v
所有 输出 电压 和
遵守 至 地面 V
CC
+ 1.0v 至 地 -0.6v
运行 范围
范围 温度 V
CC
Comm’l 0
°
c 至 +70
°
C +5V
±
10%
工业的 -40
°
c 至 +85
°
C +5V
±
10%
读 运作
直流 电的 特性
在 运行 范围 和 v
PP
= v
CC
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
IL
输入 低 水平的 -0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 水平的 2.0 V
CC
+1 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1 毫安 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -2.5 毫安 3.5 V
I
SB1
V
CC
备用物品 电流 ce = v
CC
±
0.3v 100
µ
一个
(cmos) V
IL
= 地
±
0.3v, v
IH
= v
CC
±
0.3v
I
SB2
V
CC
备用物品 电流 (t
2
l) ce = v
IH
1mA
I
CC1
V
CC
起作用的 电流, t
2
l 输入 ce = oe = v
IL
, f = 5 mhz 35 毫安
i/o = 0 毫安
I
PP
V
PP
供应 电流 V
PP
= v
CC
10
µ
一个
V
PP
V
PP
读 电压 地 V
CC
V
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= 5.5v 或者 地 -1 1
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
输出
= 5.5v 或者 地 -10 10
µ
一个
交流 电的 特性
在 运行 范围 和 v
PP
= v
CC
标识 参数 90 120 150 200 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
ACC
地址 至 输出 延迟 90 120 150 200 ns
t
CE
ce 至 输出 延迟 90 120 150 200 ns
t
OE
oe 至 输出 延迟 50 50 50 50 ns
t
CF
ce 高 至 输出 float 30 30 45 55 ns
(便条 2)
t
DF
oe 高 至 输出 float 35 35 45 55 ns
(便条 2)
t
OH
输出 支撑 从 地址,
(便条 2) ce 或者 oe, 0000 ns
whichever occurred 第一
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