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nm27c512 524,288-位 (64k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
绝对 最大 比率
(便条 1)
存储 温度 -65
°
c 至 +150
°
C
所有 输入 电压 除了 a9 和
遵守 至 地面 -0.6v 至 +7v
V
PP
和 a9 和 遵守 至 地面 -0.7v 至 +14v
V
CC
供应 电压 和
遵守 至 地面 -0.6v 至 +7v
静电释放 保护
(mil 标准. 883, 方法 3015.2) >2000v
所有 输出 电压 和
遵守 至 地面 V
CC
+ 1.0v 至 地 -0.6v
运行 范围
范围 温度 V
CC
容忍
商业的 0
°
c 至 +70
°
C +5V
±
10%
工业的 -40
°
c 至 +85
°
C +5V
±
10%
读 运作
直流 电的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
IL
输入 低 水平的 -0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 水平的 2.0 V
CC
+1 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1 毫安 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -2.5 毫安 3.5 V
I
SB1
V
CC
备用物品 电流 (cmos) ce = v
CC
±
0.3v 100
µ
一个
I
SB2
V
CC
备用物品 电流 ce = v
IH
1mA
I
CC1
V
CC
起作用的 电流 ce = oe = v
IL
f = 5 mhz 40 毫安
I
CC2
V
CC
起作用的 电流 ce = 地, f = 5 mhz
cmos 输入 输入 = v
CC
或者 地, i/o = 0 毫安 35 毫安
c, e 温度 范围
I
PP
V
PP
供应 电流 V
PP
= v
CC
10
µ
一个
V
PP
V
PP
读 电压 V
CC
- 0.7 V
CC
V
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= 5.5v 或者 地 -1 1
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
输出
= 5.5v 或者 地 -10 10
µ
一个
交流 电的 特性
标识 参数 90 120 150 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
ACC
地址 至 输出 延迟 90 120 150 ns
t
CE
ce 至 输出 延迟 90 120 150
t
OE
oe 至 输出 延迟 40 50 50
t
DF
输出 使不能运转 至 35 25 45
输出 float
t
OH
输出 支撑 从 地址, ce 或者 oe, 0 0 0
whichever occurred 第一
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