NM27C512_集成电路资料查询网

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nm27c512 524,288-位 (64k x 8) 高 效能 cmos 非易失存储器
turbo 程序编制 algorithm 流动 chart
图示 1.
V
CC
= 6.5v v
PP
= 12.75v
n = 0
地址 = 第一 location
审查 所有 字节
1st: v
CC
= v
PP
= 6.0v
2nd: v
CC
= v
PP
= 4.3v
程序 一个 50
µ
s 脉冲波
increment n
地址 = 第一 location
核实
字节
n = 10?
设备
FAILED
LAST
地址
?
INCREMENT
地址
n = 0
程序 一个
50
µ
s
脉冲波
INCREMENT
地址
核实
字节
LAST
地址
?
通过
非
失败
YES
YES
通过
非
失败
非
YES
ds010834-6
便条:
这 标准 国家的 半导体 algorithm 将 也 是 使用 但是 它 将 引领 变长 程序编制 时间.

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6 www.fairchildsemi.com nm27c512 524,288-位 (64k x 8) 高效能 cmos 非易失存储器 turbo 程序编制 algorithm 流动 chart 图示 1. V CC = 6.5v v PP = 12.75v n = 0 地址 = 第一 location 审查所有字节 1st: v CC = v PP = 6.0v 2nd: v CC = v PP = 4.3v 程序一个 50 µ s 脉冲波 increment n 地址 = 第一 location 核实字节 n = 10? 设备 FAILED LAST 地址 ? INCREMENT 地址 n = 0 程序一个 50 µ s 脉冲波 INCREMENT 地址核实字节 LAST 地址 ? 通过非失败 YES YES 通过非失败非 YES ds010834-6 便条: 这标准国家的半导体 algorithm 将也是使用但是它将引领变长程序编制时间.

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