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资料编号:521628
 
资料名称:NTB25P06G
 
文件大小: 56.24K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
 
 


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NTB25P06
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压 (便条 3)
(v
GS
= 0 v, i
D
= −250
一个)
(积极的 温度 系数)
V
(br)dss
−60
64
V
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
GS
= 0 v, v
DS
= −60 v, t
J
= 25
°
c)
(v
GS
= 0 v, v
DS
= −60 v, , t
J
= 150
°
c)
I
DSS
−10
−100
一个
gate−body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
15
v,V
DS
= 0 v) I
GSS
±
100 nA
在 特性
(便条 3)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
gs,
I
D
= −250
一个)
(负的 门槛 温度 系数)
V
gs(th)
−2.0
−2.8
6.2
−4.0
V
mv/
°
C
静态的 drain−source on−state 阻抗
(v
GS
= −10 v, i
D
= −12.5 一个)
(v
GS
= −10 v, i
D
= −25 一个)
R
ds(在)
0.065
0.070
0.075
0.082
向前 跨导
(v
DS
= −10 v, i
D
= −12.5 一个)
gFS
13
Mhos
动态 特性
输入 电容
C
iss
1200 1680
pF
输出 电容
(v
DS
= −25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
)
C
oss
345 480
反转 转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
90 180
切换 特性
(注释 3 &放大; 4)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
14 24 ns
上升 时间
(v
DD
= −30 v, i
D
= −25 一个,
t
r
72 118 ns
turn−off 延迟 时间
(v
DD
=−30 v,I
D
=−25 一个,
V
GS
= −10 v r
G
= 9.1
)
t
d(止)
43 68 ns
下降 时间 t
f
190 320 ns
门 承担
Q
T
33 50 nC
(v
DS
= −48 v, i
D
= −25 一个,
V
GS
= −10 v)
Q
1
6.5
V
GS
=−10v)
Q
2
15
body−drain 二极管 比率
(便条 3)
二极管 向前 on−voltage
(i
S
= −25 一个, v
GS
= 0 v)
(i
S
= −25 一个, v
GS
= 0 v, t
J
= 150
°
c)
V
SD
−1.8
−1.4
−2.5
V
反转 恢复 时间
t
rr
70
ns
(i
S
= −25 一个, v
GS
= 0 v,
dI
S
/dt = 100 一个/
s)
t
一个
50
dI
S
/dt = 100 一个/
s)
t
b
20
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
0.2
C
3. indicates 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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