NTB25P06
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3
50
40
30
20
10
0
0.095
0.085
0.075
0.065
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
−I
D
, 流 电流 (放大器) −I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) −V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)
1.5
1.75
1.25
1
0.5
100
10
1000
10000
0642
50
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
0
0.2
0.15
0.1
403020
0.05
0
10 50
图示 3. on−resistance vs. 流 电流 和
温度
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
−50 50250−25 75 125100
284
030402010 50 60
40
30
20
10
0
40302010 50
150
0.75
810 6
−8 v
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= −10 v
V
GS
= −10 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
I
D
= −25 一个
V
GS
= −10 v
−9 v
−7 v
−6 v
−5.5 v
−5 v
−4.5 v
−4.2 v
V
GS
= −15 v
V
GS
= −10 v
45
35
25
15
5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
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