NTB25P06
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gate−to−source 或者 drain−to−source 电压
(伏特)
c, 电容 (pf)
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
G
, 门 阻抗 (
)−v
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
−I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特) T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
1000
100
10
1
0.1
1000
100
1
10
8
6
4
2
0
600
500
400
300
200
100
0
25
20
15
10
5
0
10
3000
10
2500
155020
2000
1500
1000
0
5
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 vs. 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
vs. 门 阻抗
图示 10. 二极管 向前 电压 vs. 电流
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
图示 12. 最大 avalanche 活力 vs.
开始 接合面 温度
25 0 15 2010 254
1 10 100 0 0.750.50.25 1.25 1.75
0.1 10 1001 25 125 1501007550
500
1 1.5
10
30 35
I
D
= −25 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 v
V
DS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= −20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DD
= −30 v
I
D
= −25 一个
V
GS
= −10 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= −25 一个
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
Q
T
Q
2
Q
1
10 ms
1 ms
100
s
直流
−V
GS
−V
DS
V
DS
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