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资料编号:521680
 
资料名称:NTD20N03L27G
 
文件大小: 60.26K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTD20N03L27
http://onsemi.com
3
1.6
1.4
1
1.2
0.8
0.6
10
1
100
1000
24
16
28
12
20
0
40
0.015
0
30
1
15
0.40.2
−I
D
, 流 电流 (放大器)
0
−V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2
0.04
0.035
0.03
0.025
221512
0.02
0.015
0.01
0.005
0
5252832
图示 3. on−resistance vs. 流 电流 和
温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)
40
−50 75500−25 100 150
0.5 1.5 5
028322420 3616 40
0.02
0.01
0.025
0.03
012159618330
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
5
10
20
25
35
1.4 2
4
0.6 0.8 1.2 1.6 1.8 1 2 2.5 3 3.5 4 4.5
818 3538
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
4812
12525 21 24 27
V
GS
= 10 v
V
GS
= 8 v
V
GS
= 6 v
V
GS
= 5 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 4 v
V
GS
= 3.5 v
V
GS
= 3 v
V
GS
= 2.5 v
8
32
36
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= −55
°
C
V
DS
> = 10 v
V
GS
= 5 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= −55
°
C
V
GS
= 5 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 10 一个
V
GS
= 5 v
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
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