NTD20N03L27
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4
4
350
300
200
250
150
100
0
8
4
10
2
6
0
12
14
10
1500
824
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 vs. 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
1
1000
100
10
10
1
100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
vs. 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 10. 二极管 向前 电压 vs. 电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
图示 11. 最大 avalanche 活力 vs.
开始 接合面 温度
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
2500
25 1251007550 150
06 14
0.0 0.4 0.50.30.2 0.60.1 1.0
10
16
8
12
0
18
20
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
500
1000
200
14 258 6 2 0 6 10 12 16 18 20 23 2 4 8 10 12
6
4
2
0.7 0.8 0.9
50
V
GS
−
V
DS
C
iss
C
oss
C
rss
Q
1
Q
2
Q
I
D
= 20 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
DS
= 20 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 5.0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
f
t
d(止)
t
d(在)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 24 一个
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