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资料编号:521689
 
资料名称:NTD2955T4G
 
文件大小: 64.88K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTD2955
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压 (便条 3)
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= −0.25 毫安)
(积极的 温度 系数)
V
(br)dss
−60
67
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= −60 vdc, t
J
= 25
°
c)
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= −60 vdc, t
J
= 150
°
c)
I
DSS
−10
−100
模数转换器
gate−body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0 vdc) I
GSS
−100 nAdc
在 特性
(便条 3)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= −250
模数转换器)
(负的 温度 系数)
V
gs(th)
−2.0
−2.8
4.5
−4.0
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain−source on−state 阻抗
(v
GS
= −10 vdc, i
D
= −6.0 模数转换器)
R
ds(在)
0.155 0.180
drain−to−source on−voltage
(v
GS
= −10 vdc, i
D
= −12 模数转换器)
(v
GS
= −10 vdc, i
D
= −6.0 模数转换器, t
J
= 150
°
c)
V
ds(在)
−1.86
−2.6
−2.0
Vdc
向前 跨导 (v
DS
= 10 vdc, i
D
= 6.0 模数转换器)
gFS
8.0 Mhos
动态 特性
输入 电容
C
iss
500 750
pF
输出 电容
(v
DS
= −25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz)
C
oss
150 250
反转 转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
50 100
切换 特性
(注释 3 和 4)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
10 20
ns
上升 时间
(v
DD
= −30 vdc, i
D
= −12 一个,
t
r
45 85
turn−off 延迟 时间
(v
DD
=−30 vdc,I
D
=−12 一个,
V
GS
= −10 v, r
G
= 9.1
)
t
d(止)
26 40
下降 时间 t
f
48 90
门 承担
Q
T
15 30
nC
(v
DS
= −48 vdc, v
GS
= −10 vdc,
I
D
= −12 一个)
Q
GS
4.0
I
D
=−12一个)
Q
GD
7.0
drain−source 二极管 特性
(便条 3)
二极管 向前 on−voltage
(i
S
= 12 模数转换器, v
GS
= 0 v)
(i
S
= 12 模数转换器, v
GS
= 0 v, t
J
= 150
°
c)
V
SD
−1.6
−1.3
−2.5
Vdc
反转 恢复 时间
(i 12 一个 dI /dt 100 一个/ V 0v)
t
rr
50
ns
(i
S
= 12 一个, di
S
/dt = 100 一个/
s ,v
GS
= 0 v)
t
一个
40
t
b
10
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
0.10
C
3. indicates 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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