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资料编号:521689
 
资料名称:NTD2955T4G
 
文件大小: 64.88K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2004
october, 2004 − rev. 7
1
发行 顺序 号码:
N
td2955/d
NTD2955
电源 场效应晶体管
−60 v, −12 一个, p−channel dpak
这个 电源 场效应晶体管 是 设计 至 承受 高 活力 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 设计 为 low−voltage, high−
速 切换 产品 在 电源 供应, 转换器, 和 电源
发动机 控制, 这些 设备 是 特别 好 suited 为 桥
电路 在哪里 二极管 速 和 commutating safe 运行 areas 是
核心的 和 提供 一个 额外的 安全 余裕 相反 unexpected
电压 过往旅客.
特性
avalanche 活力 指定
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
设计 为 low−voltage, high−speed 切换 产品 和
至 承受 高 活力 在 这 avalanche 和 commutation 模式
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−60 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
25
Vdc
Vpk
流 电流
流 电流− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流− 单独的 脉冲波 (t
p
10 ms)
I
D
I
DM
−12
−36
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
55 W
运行 和 存储 温度
范围
T
J
, t
stg
55 至
175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc, 顶峰
I
L
= 12 apk, l = 3.0 mh, r
G
= 25
)
E
216 mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient (便条 1)
− junction−to−ambient (便条 2)
R
JC
R
JA
R
JA
2.73
71.4
100
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8 在. 从 情况 为
10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1 在 垫子 大小
(cu 范围 = 1.127 在
2
).
2. 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小 (cu 范围 = 0.412 在
2
).
D
S
G
P−Channel
http://onsemi.com
−60 v
155 m
@ −10 v, 6 一个
R
ds(在)
典型值
−12 一个
I
D
最大值V
(br)dss
NT2955 设备 代号
一个 = 组装 location
Y = 年
W = 工作 week
1
3
2
4
DPAK
情况 369c
样式 2
标记
图解
1
2
3
4
1
3
2
4
DPAK−3
情况 369d
样式 2
1
2
3
4
AYW
NT2955
AYW
NT2955
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 6 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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