NTD2955
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4
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
图示 7. 电容 变化
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
1 10 100
t, 时间 (ns)
V
DD
= −30 v
I
D
= −12 一个
V
GS
= −10 v
T
J
= 25
°
C
t
f
t
d(止)
0
Q
T
, 总的 门 承担 (nc)
2468
I
D
= 12 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
1000
100
10
1
15
10
0
2.5
5
60
50
40
30
0
V
DS
14
Q
T
Q
GS
Q
GD
1610 12
t
d(在)
t
r
12.5
7.5
20
0 0.25 0.75 1.75
−V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
0
10
15
5
0.5 1 1.25 1.5
10
10 0 10 15 25
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
c, 电容 (pf)
−V
GS
−V
DS
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 v
V
GS
= 0 v
1000
800
600
400
200
0
20
C
iss
C
oss
C
rss
55
C
iss
C
rss
1200
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
V
GS
= −15 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
直流
100
s
1 ms
10 ms
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
图示 12. 二极管 反转 恢复 波形
di/dt
t
rr
t
一个
t
p
I
S
0.25 i
S
时间
I
S
t
b
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (v)−I
S
, 源 电流 (放大器)
−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
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