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资料编号:521710
 
资料名称:NTD15N06LT4
 
文件大小: 93.8K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level
 
 


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NTD15N06L
http://onsemi.com
3
0168
0.08
0
24
0.16
0.32
32
0.24
2
1.6
1.2
1.4
1
0.8
0.6
10
1
1000
10000
0842
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0168
0.08
0
24
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
32
−50 50250−25 75 125100
1327
0403020 6010
6
8
16
8 v
6 v
5 v
4 v
3.5 v
V
DS
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 5 v
V
GS
= 10 v
150 175
V
GS
= 0 v
I
D
= 7.5 一个
V
GS
= 5 v
24
0.16
0.32
4.5 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 100
°
C
32
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
0
32
8
16
24
46
3 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
50
100
5
0.24
1.8
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