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资料编号:521710
 
资料名称:NTD15N06LT4
 
文件大小: 93.8K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NTD15N06L
http://onsemi.com
7
信息 为 使用 这 dpak 表面 挂载 包装
推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面 挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这
总的 设计. 这 footprint 为 这 半导体 包装
必须 是 这 准确无误的 大小 至 确保 恰当的 焊盘 连接
接口 在 这 板 和 这 包装. 和 这
准确无误的 垫子 geometry, 这 包装 将 自 排整齐 当
subjected 至 一个 焊盘 软熔焊接 处理.
DPAK
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
英寸
规模 3:1
这 电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是 一个
函数 的 这 流 垫子 大小. 这些 能 相异 从 这
最小 垫子 大小 为 焊接 至 一个 垫子 大小 给 为
最大 电源 消耗. 电源 消耗 为 一个
表面 挂载 设备 是 决定 用 t
j(最大值)
, 这
最大 评估 接合面 温度 的 这 消逝, r
JA
, 这
热的 阻抗 从 这 设备 接合面 至 包围的, 和
这 运行 温度, t
一个
. 使用 这 值 提供
在 这 数据 薄板, p
D
能 是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
− t
一个
R
JA
这 值 为 这 等式 是 建立 在 这 最大
比率 表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值
在 这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c,
一个 能 计算 这 电源 消耗 的 这 设备. 为 一个
dpak 设备, p
D
是 计算 作 跟随.
P
D
=
175
°
c − 25
°
C
71.4
°
c/w
= 2.1 watts
这 71.4
°
c/w 为 这 dpak 包装 假设 这 使用 的
0.5 sq. 在. 源 垫子 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板
至 达到 一个 电源 消耗 的 2.1 w. 那里 是 其它
alternatives 至 实现 高等级的 电源 消耗 从 这
表面 挂载 包装. 一个 是 至 增加 这 范围 的 这
流 垫子. 用 增加 这 范围 的 这 流 垫子, 这
电源 消耗 能 是 增加. 虽然 一个 能
almost 翻倍 这 电源 消耗 和 这个 方法, 一个
将 是 给 向上 范围 在 这 打印 电路 板 这个
能 defeat 这 目的 的 使用 表面 挂载 技术.
为 例子, 一个 图表 的 r
JA
相比 流 垫子 范围 是 显示
在 图示 15.
图示 15. 热的 阻抗 相比 流 垫子
范围 为 这 dpak 包装 (典型)
2.1 watts
板 材料 = 0.0625
g−10/fr−4, 2 oz 铜
80
100
60
40
20
1086420
3.6 watts
6.0 watts
T
一个
= 25
°
C
一个, 范围 (正方形的 英寸)
至 包围的 ( c/w)
°
R
JA
, 热的 阻抗, 接合面
θ
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