NTD20N06L
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20
0
0.6
drain−to−source 二极管 特性
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
I
S
, 源 电流 (放大器)
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
1000
1
t, 时间 (ns)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0
5
3
1
0
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
6
4
2
12
100
48 20
0.68 0.76 1
4
8
12
I
D
= 20 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
Q
2
Q
1
Q
T
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
10
V
DS
= 30 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 5 v
0.84 0.92
16
16
safe 运行 范围
这 向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这 最大 同时发生的 drain−to−source 电压 和
流 电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是
向前 片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰
接合面 温度 和 一个 情况 温度 (t
C
) 的 25
°
c.
顶峰 repetitive 搏动 电源 限制 是 决定 用 使用
这 热的 回馈 数据 在 conjunction 和 这 程序
discussed 在 an569, “transient 热的 阻抗 −
一般 数据 和 它的 使用.”
切换 在 这 off−state 和 这 on−state 将
traverse 任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流
(i
DM
) 也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过 和 这
转变时间 (t
r
,t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加 这 总的
电源 averaged 在 一个 完全 切换 循环 必须 不
超过 (t
j(最大值)
− t
C
)/(r
θ
JC
).
一个 电源 场效应晶体管 designated e−fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和 unclamped inductive 负载. 为
可依靠的运作, 这 贮存 活力 从 电路 电感
dissipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少
比 这 评估 限制 和 调整 为 运行 情况
differing从 那些 指定. 虽然 工业 实践 是
至 比率 在 条款 的 活力, avalanche 活力 能力 是 不
一个 常量. 这 活力 比率 减少 non−linearly 和 一个
增加 的 顶峰 电流 在 avalanche 和 顶峰 接合面
温度.
虽然 许多 e−fets 能 承受 这 压力 的
drain−to−source avalanche 在 电流 向上 至 评估 搏动
电流 (i
DM
), 这 活力 比率 是 指定 在 评估
持续的 电流 (i
D
), 在 一致 和 工业 custom.
这 活力 比率 必须 是 derated 为 温度 作 显示
在 这 accompanying 图表 (图示 12). 最大 活力 在
电流 在下 评估 持续的 i
D
能 safely 是 assumed 至
equal 这 值 表明.
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