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资料编号:521713
 
资料名称:NTD20N06LT4
 
文件大小: 89.95K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
 
 


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NTD20N06L
http://onsemi.com
6
safe 运行 范围
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
0.1 1 100
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
图示 13. 热的 回馈
1
100
avalanche 活力 (mj)
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.1
0
25 50 75 100 125
40
I
D
= 16 一个
10
10 175
图示 14. 二极管 反转 恢复 波形
di/dt
t
rr
t
一个
t
p
I
S
0.25 i
S
时间
I
S
t
b
20
100
80
60
140
V
GS
= 15 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
120
1 ms
100
µ
s
10 ms
直流
10
µ
s
150
r(t), 有效的 瞬时 热的 阻抗
(normalized)
t, 时间 (s)
0.1
1.0
0.01
0.1
0.2
0.02
d = 0.5
0.05
0.01
单独的 脉冲波
R
θ
JC
(t) = r(t) r
θ
JC
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
− t
C
= p
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
1100.10.010.0010.00010.00001
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