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资料编号:521713
 
资料名称:NTD20N06LT4
 
文件大小: 89.95K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 industries, llc, 2003
8月, 2003 − rev. 1
1
发行 顺序 号码:
ntd20n06l/d
NTD20N06L
电源 场效应晶体管
20 放大器, 60 伏特, 逻辑 水平的
n−channel dpak
设计 为 低 电压, 高 速 切换 产品 在
电源 供应, 转换器 和 电源 发动机 控制 和 桥
电路.
典型 产品
电源 供应
转换器
电源 发动机 控制
桥 电路
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (r
GS
= 10 m
) V
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GS
15
20
Vdc
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 持续的 @ t
一个
= 100
°
C
− 单独的 脉冲波 (t
p
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
20
10
60
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 1.)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 2.)
P
D
60
0.40
1.88
1.36
W
w/
°
C
W
W
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至
+175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 5.0 vdc,
l = 1.0 mh, i
L
(pk) = 16 一个, v
DS
= 60 vdc)
E
128 mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient (便条 1.)
− junction−to−ambient (便条 2.)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
2.5
80
110
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1
垫子 大小,
(cu 范围 1.127 在
2
).
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 推荐 垫子 大小,
(cu 范围 0.412 在
2
).
N−Channel
D
S
G
http://onsemi.com
1
3
2
4
DPAK
情况 369c
样式 2
标记 图解
20N06L 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
1
2
3
4
1
3
2
4
DPAK
情况 369d
样式 2
1
2
3
4
设备 包装 Shipping
NTD20N06L DPAK 75 单位/栏杆
NTD20N06L−1
DPAK
笔直地 含铅的
75 单位/栏杆
NTD20N06LT4 DPAK 2500 录音带 &放大; 卷轴
YWW
20N06L
YWW
20N06L
60 v 39 m

5.0 v
R
ds(在)
典型值
20 一个
(便条 1)
I
D
最大值V
(br)dss
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