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NTMD6N02R2
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4
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
1501251007550250−25−50
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
20161284
100
10
I
DSS
, 泄漏 (na)
0.01
0.6
1000
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
I
D
= 6.0 一个
V
GS
= 4.5 v
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 0 v
100
°
C
1
0.1
25
°
C
(normalized)
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
100
10
t, 时间 (ns)
V
DS
= 16 v
I
D
= 6.0 一个
V
GS
= 4.5 v
t
r
t
d(在)
20
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
4
0
0
1
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
5
48 16
I
D
= 6 一个
V
DS
= 16 v
V
GS
= 4.5 v
T
J
= 25
°
C
12
V
DS
V
GS
Q2
Q1
1000
t
f
3
2
8
12
4
16
QT
t
d(止)
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
1000
图示 7. 电容 变化
10 0 5 105
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
15 20
0
2000
C
iss
C
rss
V
DS
= 0 v
V
GS
= 0 v
V
DS
V
GS
500
1500
2500
图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source
电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗

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NTMD6N02R2 http://onsemi.com 4 图示 5. on−resistance 变化和温度 T J , 接合面温度 ( ° c) 1.6 1.4 1.2 1 0.8 1501251007550250−25−50 图示 6. drain−to−source 泄漏电流相比电压 V DS , drain−to−source 电压 (伏特) 20161284 100 10 I DSS , 泄漏 (na) 0.01 0.6 1000 R ds(在) , drain−to−source 阻抗 I D = 6.0 一个 V GS = 4.5 v T J = 125 ° C V GS = 0 v 100 ° C 1 0.1 25 ° C (normalized) R G , 门阻抗 (ohms) 1 10 100 100 10 t, 时间 (ns) V DS = 16 v I D = 6.0 一个 V GS = 4.5 v t r t d(在) 20 V GS , gate−to−source 电压 (伏特) 4 0 0 1 0 Q g , 总的门承担 (nc) V DS , drain−to−source 电压 (伏特) 5 48 16 I D = 6 一个 V DS = 16 v V GS = 4.5 v T J = 25 ° C 12 V DS V GS Q2 Q1 1000 t f 3 2 8 12 4 16 QT t d(止) gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) 1000 图示 7. 电容变化 10 0 5 105 T J = 25 ° C C iss C oss C rss 15 20 0 2000 C iss C rss V DS = 0 v V GS = 0 v V DS V GS 500 1500 2500 图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗

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