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资料编号:521960
 
资料名称:NTMD6N02R2
 
文件大小: 71.29K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
 
 


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6
 
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NTMD6N02R2
http://onsemi.com
6
包装 维度
样式 11:
管脚 1. 源 1
2. 门 1
3. 源 2
4. 门 2
5. 流 2
6. 流 2
7. 流 1
8. 流 1
SO−8
情况 751−07
公布 ab
SEATING
平面
1
4
58
N
J
x 45
K
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每
ansi y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: millimeter.
3. 维度 一个 和 b 做 不 包含
模型 protrusion.
4. 最大 模型 protrusion 0.15 (0.006)
每 一侧.
5. 维度 d 做 不 包含 dambar
protrusion. 容许的 dambar
protrusion 将要 是 0.127 (0.005) 总的
在 excess 的 这 d 维度 在
最大 材料 情况.
6. 751−01 thru 751−06 是 废弃的. 新
标准 是 751−07.
一个
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
英寸
4.80 5.00 0.189 0.197
毫米
B
3.80 4.00 0.150 0.157
C
1.35 1.75 0.053 0.069
D
0.33 0.51 0.013 0.020
G
1.27 bsc 0.050 bsc
H
0.10 0.25 0.004 0.010
J
0.19 0.25 0.007 0.010
K
0.40 1.27 0.016 0.050
M
0 8 0 8
N
0.25 0.50 0.010 0.020
S
5.80 6.20 0.228 0.244
−X−
−Y−
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
−Z−
Y
M
0.25 (0.010) Z
S
X
S
M

*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
1.270
0.050
4.0
0.155
mm
英寸
规模 6:1
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