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资料编号:521960
 
资料名称:NTMD6N02R2
 
文件大小: 71.29K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
 
 


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NTMD6N02R2
http://onsemi.com
5
drain−to−source 二极管 特性
0 0.2 0.4 0.6
0
1
2
V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
I
S
, 源 电流 (放大器)
5
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
3
1.2
4
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
0.1
1
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
10
直流
1
100
100
10
10 ms
1 ms
0.8 1.0
100
µ
s
图示 12. 二极管 反转 恢复 波形
di/dt
t
rr
t
一个
t
p
I
S
0.25 i
S
时间
I
S
t
b
典型 电的 特性
图示 13. 热的 回馈
t, 时间 (s)
rthja(t), 有效的 瞬时
热的 阻抗
1
0.1
0.01
d = 0.5
单独的 脉冲波
1.0e−05 1.0e−04 1.0e−03 1.0e−02 1.0e−01 1.0e+00 1.0e+01
0.2
0.05
0.01
1.0e+02 1.0e+03
0.001
0.1
0.02
R
θ
JC
(t) = r(t) r
θ
JC
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
− t
C
= p
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
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