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2004 十一月 04 8
飞利浦 半导体 产品 规格
40 v, 5 一个
pnp 低 v
CEsat
(biss) 晶体管
PBSS5540X
V
CE
(v)
0
−
2
−
1.5
−
0.5
−
1
001aaa157
−
4
−
2
−
6
−
8
I
C
(一个)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
图.6 集电级 电流 作 一个 函数 的
集电级-发射级 电压; 典型 值.
(1) I
B1
=
−
11 毫安.
(2) I
B2
=
−
22 毫安.
(3) I
B3
=
−
33 毫安.
(4) I
B4
=
−
44 毫安.
(5) I
B5
=
−
55 毫安.
001aaa158
−
0.4
−
0.8
−
1.2
V
是
(v)
0
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(1)
(2)
(3)
图.7 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
(1) T
amb
=
−
55
°
c. (2) T
amb
=25
°
c. (3) T
amb
= 100
°
c.
V
CE
=
−
2v.
001aaa159
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(1)
(2)
(3)
图.8 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
(1) T
amb
= 100
°
c. (2) T
amb
=25
°
c. (3) T
amb
=
−
55
°
c.
V
CE
=
−
2v.
001aaa160
I
C
(毫安)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
10
−
1
1
10
10
2
R
CEsat
(
Ω
)
10
−
2
(1)
(2)
(3)
图.9 相等的 在-阻抗 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
(1) T
amb
= 100
°
c. (2) T
amb
=25
°
c. (3) T
amb
=
−
55
°
c.
I
C
/i
B
= 20.

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2004 十一月 04 8 飞利浦半导体产品规格 40 v, 5 一个 pnp 低 v CEsat (biss) 晶体管 PBSS5540X V CE (v) 0 − 2 − 1.5 − 0.5 − 1 001aaa157 − 4 − 2 − 6 − 8 I C (一个) 0 (1) (2) (3) (4) (5) 图.6 集电级电流作一个函数的集电级-发射级电压; 典型值. (1) I B1 = − 11 毫安. (2) I B2 = − 22 毫安. (3) I B3 = − 33 毫安. (4) I B4 = − 44 毫安. (5) I B5 = − 55 毫安. 001aaa158 − 0.4 − 0.8 − 1.2 V 是 (v) 0 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 (1) (2) (3) 图.7 根基-发射级电压作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 100 ° c. V CE = − 2v. 001aaa159 400 600 200 800 1000 h FE 0 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 (1) (2) (3) 图.8 直流电流增益作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) T amb = 100 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. V CE = − 2v. 001aaa160 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 10 − 1 1 10 10 2 R CEsat ( Ω ) 10 − 2 (1) (2) (3) 图.9 相等的在-阻抗作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) T amb = 100 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. I C /i B = 20.

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