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2004 十一月 04 9
飞利浦 半导体 产品 规格
40 v, 5 一个
pnp 低 v
CEsat
(biss) 晶体管
PBSS5540X
001aaa161
−
10
−
1
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2
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1
V
CEsat
(v)
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3
I
C
(毫安)
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(1)
(2)
(3)
图.10 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
(1) T
amb
= 100
°
c. (2) T
amb
=25
°
c. (3) T
amb
=
−
55
°
c.
I
C
/i
B
= 20.
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−
10
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1
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2
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V
CEsat
(v)
−
10
−
3
I
C
(毫安)
−
10
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1
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4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
(1)
(2)
(3)
图.11 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
(1) I
C
/i
B
= 100. (2) I
C
/i
B
= 50. (3) I
C
/i
B
= 10.
T
amb
=25
°
c.
001aaa163
I
C
(毫安)
10
−
1
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4
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−
1
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−
1
−
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V
BEsat
(v)
−
10
−
1
(1)
(2)
(3)
图.12 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
(1) T
amb
=
−
55
°
c. (2) T
amb
=25
°
c. (3) T
amb
= 100
°
c.
I
C
/i
B
= 20.
001aaa164
−
0.4
−
0.8
−
1.2
V
是
(v)
0
I
C
(毫安)
−
10
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1
−
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4
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3
−
1
−
10
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图.13 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
T
amb
=25
°
c.

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2004 十一月 04 9 飞利浦半导体产品规格 40 v, 5 一个 pnp 低 v CEsat (biss) 晶体管 PBSS5540X 001aaa161 − 10 − 1 − 10 − 2 − 1 V CEsat (v) − 10 − 3 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 (1) (2) (3) 图.10 集电级-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) T amb = 100 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = − 55 ° c. I C /i B = 20. 001aaa162 − 10 − 1 − 10 − 2 − 1 V CEsat (v) − 10 − 3 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 (1) (2) (3) 图.11 集电级-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) I C /i B = 100. (2) I C /i B = 50. (3) I C /i B = 10. T amb =25 ° c. 001aaa163 I C (毫安) 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 − 1 − 10 V BEsat (v) − 10 − 1 (1) (2) (3) 图.12 根基-发射级饱和电压作一个函数的集电级电流; 典型值. (1) T amb = − 55 ° c. (2) T amb =25 ° c. (3) T amb = 100 ° c. I C /i B = 20. 001aaa164 − 0.4 − 0.8 − 1.2 V 是 (v) 0 I C (毫安) − 10 − 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10 图.13 根基-发射级电压作一个函数的集电级电流; 典型值. T amb =25 ° c.

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