2003 十一月 21 5
飞利浦 半导体 产品 规格
50 v, 3 一个
pnp 低 v
CEsat
(biss) 晶体管
PBSS5350X
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板; 单独的-sided 铜; tinplated; 标准 footprint.
2. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板; 单独的-sided 铜; tinplated; 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
.
3. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板; 单独的-sided 铜; tinplated; 挂载 垫子 为 集电级 6 cm
2
.
4. 设备 挂载 在 一个 陶瓷的 打印-电路 板 7 cm
2
, 单独的-sided 铜, tinplated.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气
便条 1 225 k/w
便条 2 125 k/w
便条 3 90 k/w
便条 4 80 k/w
R
th-js
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 16 k/w
handbook, 全部 pagewidth
10
3
10
2
10
10
−
1
1
10
−
5
10
−
4
10
−
3
10
−
2
10
−
1
1
Z
th
(k/w)
t
p
(s)
10 10
2
10
3
MLE373
t
p
t
p
T
P
t
T
δ
=
(10)
(9)
(8)
(4)
(3)
(2)
(1)
(5)
(6)
(7)
图.3 瞬时 热的 阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 时间; 典型 值.
(1)
δ
=1.
(2)
δ
= 0.75.
(3)
δ
= 0.5.
(4)
δ
= 0.33.
(5)
δ
= 0.2.
(6)
δ
= 0.1.
(7)
δ
= 0.05.
(8)
δ
= 0.02.
(9)
δ
= 0.01.
(10)
δ
=0.
挂载 在 fr4 打印-电路 板; 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
.
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